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ISSP-SHF 单晶炉

本装置由我公司和中国科学院材料物理重点实验室联合研制,由温度控制系统、真空系统和单晶炉炉体等部分组成。

主要实验内容

1、制备金属氧化物类单晶,如 SrMoO3 等;

2、制备氧化物高温超导体,如钇钡铜氧等;

3、制备非氧化物单晶,如单晶硅、单晶碳化硅等;

4、在 1550℃以下大气、真空或气氛保护下进行单晶生长、材料热处理、固相反应材料合成等。

主要技术特点

1、一机多用,可开设多个综合性、研究性实验:既可制备氧化物类单晶,又可制备非氧化物类或厌氧类单晶,具有很高的性能价格比;

2、采用特殊的做炉膛保温材料,具有密度小,保温性能好等特点;

3、采用抽真空结合保护气氛,既可以抽真空,又可以通入不同的气体;

4、温度采用程序控制,实现智能化,最高温度可达:1550℃;温度梯度:约 5℃ /cm。

主要技术参数

1、电源 AC 220V50/60Hz;额定功率:5kW;

2、炉膛尺寸:Φ185mm×185mm;加热区尺寸:150mm;

3、温度控制范围:100 ~ 1600℃,控制精度 :±1℃,升温速率:10℃ /min;

4、报警保护:上、下限,正、负偏差 , 断偶等报警;

5、进气系统:一路质量流量控制器。

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