应用领域：

系统可用于开发纳米级的单层及多层功能膜和复合膜 , 可镀金属、合金、化合物、半导体、陶瓷膜、介质复合膜和其它化学反应膜等。

  四靶共聚焦溅射：

基本配置：

◆真空腔室： D 型圆筒形，尺寸约 ф450×H450mm，前开门结构；采用铰链、铝制前门，手动，上下 2 个杠杆把手，胶圈密封， 腔体内表面采用电解抛光处理；外表面采用拉丝抛光，无擦伤及划痕。 

◆抽气系统：采用复合分子泵 + 直联旋片泵作为真空抽气系统； 主抽泵：分子泵抽速≥ 1200L/S，氮气压缩比≥ 109 ； 前级泵：VRD-30 机械泵及电磁阀，抽速：8L/S 主抽阀： CCD-200 超高真空电动插板阀 

* 真空系统可以升级为进口分子泵和涡旋干泵。 

◆真空测量： 数显复合真空计： “两低一高”全量程数显复合真空计； 自动恒压采用进口薄膜压强真空规测量，范围：13Pa-0.013Pa（可选择配置） 

* 真空测量可以升级为进口全量程冷阴极真空计 

◆极限真空：<5×10-5Pa 

◆恢复真空：<6.7×10-4Pa(< 45 min) 

◆磁控溅射靶：（最多四支 2&3 英寸磁控溅射靶）磁控溅射靶磁路模块化设计；磁控靶可手动调节溅射角度，靶与基片的距 离可调；其中一个靶位可溅射磁性材料（如镍或铁等）靶材大小为直径 50.8mm，厚度≤ 5mm，靶材利用率超过 40%； 

◆镀膜方式：由下往上溅镀或从上往下溅射，可依需求采用 Confocal（共焦）或 Face-to-Face（面对面）； 

◆溅射电源（可选配置）： 射频电源： 功率 500W，输出频率：13.56MHz，全自动匹配 数量：1 台 直流溅射电源：最大输出功率：500W；输出电压：0 ～ -800V 可调 数量：2 台 

◆工艺气路：三路质量流量计控制的气路（Ar、O2、N2 ）等 

◆样品台：可容纳样品最大尺寸：6 样品托一个 , 配挡板， 转速 0-30rpm 连续可调 ; 样品可加热控温， 温度范围：室温 -600℃，控温精度 ±0.5℃； 

◆控制单元：15 英寸触摸屏 +PLC 控制（可选手动按钮）

选择配置：

◆样品台可水冷，采用直接式水冷形式，水冷不控温 ◆可选进口溅射电源 

◆磁控靶可选用进口知名品牌 

◆全量程真空计 (Inficon) 

◆电容式隔膜真空计 ( 测量溅射工作压力 ) 

◆样品托 : 不锈钢、铝或铜，基片盘上有螺纹孔

系统要求标准配置：

◆工艺气体 :25psi，纯度 99.99% 以上 

◆工作气体 : 干燥压缩空气、氮气 

◆电 源 : 三相 380V, 50Hz, 32A 

◆冷 冻 水 :18-25℃ , 6L/min，压力 <0.4MPa