DH-PECVD 等离子增强管式炉
为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种 CVD 称为等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）。
辉光放电等离子体中：电子密度高 10 9 -10 12 /cm, 电子气体温度比普通气体分子温度高出 10-100倍。
主要技术指标
上一个：手套箱蒸镀 / 溅射一体机
为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种 CVD 称为等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）。
辉光放电等离子体中：电子密度高 10 9 -10 12 /cm, 电子气体温度比普通气体分子温度高出 10-100倍。
主要技术指标
